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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [26]
作者
江德生 [3]
赵德刚 [1]
徐波 [1]
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会议论文 [26]
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2007 [2]
2005 [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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收录类别:CPCI\-S
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The effect of interposing nanocrystalline Si(B) P plus layer on the photovoltaic properties of a-Si: H tandem solar cells
会议论文
PROCEEDINGS OF ISES SOLAR WORLD CONGRESS 2007, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 18-21, 2007
作者:
Shi, MJ
;
Wang, ZG
;
Zhang, C
;
Peng, WB
;
Zeng, XB
;
Diao, HW
;
Kong, GL
;
Liao, XB
;
Shi, MJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxy
4h-sic
Multi-epilayer
Uv Detection
p(+)-pi-n(-)
Ultraviolet Photodetector
Epitaxial-growth
The structure and function of neurons with variable nonlinear transfer function
会议论文
Proceedings of the 2005 International Conference on Neural Networks and Brain, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 13-15, 2005
作者:
Wang, SJ
;
Liu, YY
;
Wang, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Artificial Neural Networks, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
;
Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Sio2 Encapsulation
Rapid-thermal-annealing
Nitrogen Reorganization
Molecular-beam Epitaxy
Optical-properties
Mu-m
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
;
Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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提交时间:2010/10/29
Gan
Low-frequency Noise
Deep Levels
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
Devices
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Zhang ZH
;
Zhao DG
;
Feng ZH
;
Fu Y
;
Zhang SN
;
Yang H
;
Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Wafer Bunding
Cubic Gan
Light-emitting-diodes
Field-effect Transistor
Single-crystal Gan
Microwave Performance
Mirror
Junction
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas
Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical Microscopy
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Silicon Compounds
Sapphire
Deposition
Films
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
High Electron Mobility Transistors
Density