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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
半导体材料科学中心 [9]
作者
潘旭 [1]
文献类型
专利 [5]
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [4]
语种
中文 [5]
英语 [4]
出处
3RD INTERN... [1]
Applied Ph... [1]
JOURNAL OF... [1]
Journal of... [1]
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专题:半导体材料科学中心
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期刊影响因子降序
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(668Kb)
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浏览/下载:2623/494
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提交时间:2011/07/15
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
Pan X (Pan Xu)
;
Wei M (Wei Meng)
;
Yang CB (Yang Cuibai)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
Adobe PDF(396Kb)
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浏览/下载:3398/831
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提交时间:2011/07/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
;
Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)
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浏览/下载:1114/370
  |  
提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
;
Peng, EnChao
;
Lin, DeFeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, LiJuan,
;
Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(385Kb)
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浏览/下载:1318/296
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提交时间:2012/06/14
Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
冉军学
;
王晓亮
;
李建平
;
胡国新
;
肖红领
;
王翠梅
;
杨翠柏
;
李晋闽
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浏览/下载:1660/301
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提交时间:2011/08/31
p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张小宾
;
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
冉军学
;
王翠梅
;
李晋闽
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浏览/下载:1724/313
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提交时间:2011/08/31
在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
魏萌
;
王晓亮
;
潘旭
;
李建平
;
刘宏新
;
王翠梅
;
肖红领
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浏览/下载:1621/265
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提交时间:2011/08/31
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王晓亮
;
张明兰
;
肖红领
;
王翠梅
;
唐健
;
冯春
;
姜丽娟
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浏览/下载:1639/283
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提交时间:2011/08/31
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:
王晓亮
;
毕杨
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
Adobe PDF(570Kb)
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浏览/下载:2176/447
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提交时间:2012/08/29