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集成微波光子信号处理与产生 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  唐健
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氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
Inventors:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
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高频大功率GaN基HEMT结构材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  唐健
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708
Authors:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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Electron-mobility Transistors  
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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压电陶瓷光电链路微波信号真延时调控装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  李明;  唐健;  邓晔;  祝宁华
Adobe PDF(256Kb)  |  Favorite  |  View/Download:253/8  |  Submit date:2016/09/28