Chinese | English

Search in the results

SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 27 Help

  Show only claimed items
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
High performance AlGaNGaN power switch with Si3N4 Insulation 期刊论文
The European Physical Journal Applied Physics, 2013, 卷号: 61, 期号: 1, 页码: 10101
Authors:  Lin, Defeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Kang, He;  Wang, Cuimei;  Jiang, Lijuan;  Feng, Chun;  Chen, Hong;  Deng, Qingwen;  Bi, Yang;  Zhang, Jingwen;  Hou, Xun
Adobe PDF(1409Kb)  |  Favorite  |  View/Download：514/150  |  Submit date：2014/03/18
Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN heterostructures 期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2012, 卷号: 407, 期号: 18, 页码: 3920-3924
Authors:  Ding JQ (Ding, Jieqin);  Wang XL (Wang, Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao, Hongling);  Wang CM (Wang, Cuimei);  Yin HB (Yin, Haibo);  Chen H (Chen, Hong);  Feng C (Feng, Chun);  Jiang LJ (Jiang, Lijuan)
Adobe PDF(554Kb)  |  Favorite  |  View/Download：948/286  |  Submit date：2013/03/27
Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003
Authors:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1021/370  |  Submit date：2012/06/14
Aluminum  Electron Mobility  Gallium Nitride  High Electron Mobility Transistors  Indium  Poisson Equation  Polarization  Two Dimensional Electron Gas  
The influence of the1st AlN and the2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文
Applied Physics A: Materials Science and Processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
Authors:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei;  Peng, EnChao;  Lin, DeFeng;  Feng, Chun;  Jiang, LiJuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(385Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1254/296  |  Submit date：2012/06/14
Poisson Equation  
一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 　
Inventors:  姜丽娟
Adobe PDF(365Kb)  |  Favorite  |  View/Download：846/238  |  Submit date：2010/03/19
GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  姜丽娟
Adobe PDF(1620Kb)  |  Favorite  |  View/Download：631/27  |  Submit date：2009/04/13
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
Adobe PDF(404Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1167/283  |  Submit date：2011/08/31
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
Inventors:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1689/447  |  Submit date：2012/08/29
基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
Inventors:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
Adobe PDF(566Kb)  |  Favorite  |  View/Download：416/108  |  Submit date：2014/11/24
应用于电化学测量的便携式阻抗谱分析仪及阻抗谱分析方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
Inventors:  蒋莉娟;  俞海龙;  韩伟静
Adobe PDF(771Kb)  |  Favorite  |  View/Download：288/70  |  Submit date：2014/12/25