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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及无机光电技术领域,公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法,该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构,利用该合金带宽可调节的优点,结合量子点超晶格结构的优势,通过严格控制生长条件,得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料,从而可在理论上达到63%的极限转换效率。
部门归属半导体材料科学中心
专利号CN200810240351.4
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810240351.4
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22333
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张小宾,王晓亮,肖红领,等. p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法. CN200810240351.4.
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