| Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer | |
| Pan X (Pan Xu); Wei M (Wei Meng); Yang CB (Yang Cuibai); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang) | |
| 2011 | |
| 会议名称 | 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)/14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE14) |
| 会议录名称 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467 |
| 会议日期 | AUG 08-13, 2010 |
| 会议地点 | Beijing, PEOPLES R CHINA |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21436 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Pan X ,Wei M ,Yang CB ,et al. Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer[C],2011. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| Growth of GaN film o（396KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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