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High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 33002
Authors:  Yin, Haibo;  Wang, Xiaoliang;  Ran, Junxue;  Hu, Guoxin;  Zhang, Lu;  Xiao, Hongling;  Li, Jing;  Li, Jinmin;  Yin, H.(hbyin@semi.ac.cn)
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Epitaxial Growth  Gallium Nitride  
高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展 期刊论文
半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 417-422
Authors:  张明兰;  杨瑞霞;  王晓亮;  胡国新;  高志
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AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟 期刊论文
半导体技术, 2010, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 874-876,902
Authors:  张明兰;  王晓亮;  杨瑞霞;  胡国新
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氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
Inventors:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  王新华;  冯春;  王保柱;  马志勇;  王军喜;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅
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