Chinese | English

Search in the results

SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 46 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
Breaking the limitation of mode building time in an optoelectronic oscillator 期刊论文
Nature Communications, 2018, 卷号: 9, 页码: 1839
Authors:  Tengfei Hao ;   Qizhuang Cen ;   Yitang Dai ;   Jian Tang ;   Wei Li ;   Jianping Yao ;   Ninghua Zhu ;   Ming Li
Adobe PDF(1664Kb)  |  Favorite  |  View/Download：68/0  |  Submit date：2019/11/12
Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth 期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 15, 页码: 152109
Authors:  Zengcheng Li, Jianping Liu, Meixin Feng, Kun Zhou, Shuming Zhang, Hui Wang, Deyao Li, Liqun Zhang, Degang Zhao, Desheng Jiang, Huaibing Wang,and Hui Yang
Adobe PDF(1132Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1422/432  |  Submit date：2014/06/03
在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
Inventors:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
Adobe PDF(592Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1007/236  |  Submit date：2010/03/19
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1097/246  |  Submit date：2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  Favorite  |  View/Download：996/200  |  Submit date：2009/06/11
用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  曹国华;  秦大山;  李建平;  曹峻松;  曾一平
Adobe PDF(530Kb)  |  Favorite  |  View/Download：822/173  |  Submit date：2009/06/11
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(724Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1177/233  |  Submit date：2009/06/11
一种有机材料升华提纯装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  曹国华;  秦大山;  李建平;  曹峻松;  曾一平
Adobe PDF(472Kb)  |  Favorite  |  View/Download：907/161  |  Submit date：2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
Adobe PDF(449Kb)  |  Favorite  |  View/Download：972/197  |  Submit date：2009/06/11
Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 298 Sp.Iss.SI, 期号: 0, 页码: 235-238
Authors:  Ran JX (Ran Junxue);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Li JP (Li Jianping);  Wang BZ (Wang Baozhu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(259Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1255/323  |  Submit date：2010/03/29
Doping