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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [42]
半导体材料科学中心 [2]
集成光电子学国家重点... [1]
光电子研究发展中心 [1]
Authors
刘超 [6]
王翠梅 [2]
王玉田 [1]
潘旭 [1]
肖红领 [1]
Document Type
Journal a... [30]
Patent [16]
Date Issued
2018 [1]
2013 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [8]
2006 [7]
More...
Language
中文 [35]
英语 [10]
Source Publication
半导体学报 [16]
JOURNAL OF... [3]
发光学报 [2]
APPLIED SU... [1]
Applied Ph... [1]
MICROELECT... [1]
More...
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Breaking the limitation of mode building time in an optoelectronic oscillator
期刊论文
Nature Communications, 2018, 卷号: 9, 页码: 1839
Authors:
Tengfei Hao
;
Qizhuang Cen
;
Yitang Dai
;
Jian Tang
;
Wei Li
;
Jianping Yao
;
Ninghua Zhu
;
Ming Li
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Submit date:2019/11/12
Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth
期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 15, 页码: 152109
Authors:
Zengcheng Li, Jianping Liu, Meixin Feng, Kun Zhou, Shuming Zhang, Hui Wang, Deyao Li, Liqun Zhang, Degang Zhao, Desheng Jiang, Huaibing Wang,and Hui Yang
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Submit date:2014/06/03
在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
Inventors:
王晓亮
;
罗卫军
;
郭伦春
;
肖红领
;
李建平
;
李晋闽
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Submit date:2010/03/19
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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Submit date:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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Submit date:2009/06/11
用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
曹国华
;
秦大山
;
李建平
;
曹峻松
;
曾一平
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Submit date:2009/06/11
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
王晓亮
;
胡国新
;
马志勇
;
冉学军
;
王翠敏
;
肖红领
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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Submit date:2009/06/11
一种有机材料升华提纯装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
曹国华
;
秦大山
;
李建平
;
曹峻松
;
曾一平
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Submit date:2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
冉军学
;
王晓亮
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
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Submit date:2009/06/11
Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 298 Sp.Iss.SI, 期号: 0, 页码: 235-238
Authors:
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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Submit date:2010/03/29
Doping