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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [14]
作者
江德生 [2]
韩培德 [1]
张艳华 [1]
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会议论文 [14]
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2006 [2]
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期刊影响因子降序
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
;
Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide
X-ray Diffraction
Defects
Single Crystal
Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
;
Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan
Gan Template
A1n Interlayer
Mocvd
Crack
Interference Fringes
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
;
Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Zno
Mocvd
Thermal Annealing
Photoluminescence
X-ray Diffraction
Atomic Force Microscopy
Pulsed-laser Deposition
Thin-films
Photoluminescence
Mechanisms
Epitaxy
Cvd
Si
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
;
Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Improved Luminescence Efficiency
Temperature
Photoluminescence
Nitrogen
Origin
Diodes
Tolerance analysis for incident angle of volume phase holographic grating used in optical channel performance monitor
会议论文
PROCEEDINGS OF THE THIRD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON INSTRUMENTATION SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOL 3, Xian, PEOPLES R CHINA, AUG 18-22, 2004
作者:
Xin HL
;
Li F
;
Cao P
;
He YJ
;
Chen P
;
Liu YL
;
Xin HL Chinese Acad Sci Inst Semicond Res & Dev Ctr Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ocpm
Vphg
Incident Angle
Tolerance
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Defects
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Gaas
Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical Microscopy
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Silicon Compounds
Sapphire
Deposition
Films
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films