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| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞 ; 曾一平; 李晋闽
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143078.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓峰; 杨华; 刘祯; 曾一平; 王国宏
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| 一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010504161.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 曹国华; 关敏; 李林森; 曾一平
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010141024.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓峰; 段垚; 刘祯; 曾一平
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| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 张雨溦; 张杨; 曾一平
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