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Investigation of Efficiency and Droop Behavior Comparison for InGaN/GaN Super Wide-Well Light Emitting Diodes Grown on Different Substrates 期刊论文
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2014, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 8200610
Authors:  Wei, Tongbo;  Zhang, Lian;  Ji, Xiaoli;  Wang, Junxi;  Huo, Ziqiang;  Sun, Baojun;  Hu, Qiang;  Wei, Xuecheng;  Duan, Ruifei;  Zhao, Lixia;  Zeng, Yiping;  Li, Jinmin
Adobe PDF(1297Kb)  |  Favorite  |  View/Download：635/149  |  Submit date：2015/03/19
Enhancing optical power of GaN-based light-emitting diodes by nanopatterning on indium tin oxide with tunable fill factor using multiple-exposure nanosphere-lens lithography 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 116, 期号: 19, 页码: 194301
Authors:  Zhang, Yonghui;  Wei, Tongbo;  Xiong, Zhuo;  Chen, Yu;  Zhen, Aigong;  Shan, Liang;  Zhao, Yun;  Hu, Qiang;  Li, Jinmin;  Wang, Junxi
Adobe PDF(1566Kb)  |  Favorite  |  View/Download：420/40  |  Submit date：2015/03/20
Polarity dependent structure and optical properties of freestanding GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2011
Authors:  Hu, Qiang;  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Yang, Jiankun;  Huo, Ziqiang;  Zeng, Yiping;  Xu, Shu;  Hu, Q.(huqiang@semi.ac.cn)
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Carrier Concentration  Etching  Gallium Alloys  Optical Properties  Point Defects  Raman Spectroscopy  Semiconducting Gallium Compounds  Vapor Phase Epitaxy  Vapors  
蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 760-764
Authors:  吴猛;  曾一平;  王军喜;  胡强
Adobe PDF(847Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1509/537  |  Submit date：2012/07/16
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
Authors:  胡强;  魏同波;  段瑞飞;  羊建坤;  霍自强;  卢铁城;  曾一平
Adobe PDF(328Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1128/330  |  Submit date：2011/08/16
Two-wave mixing in resonant photorefractive GaAs/AlGaAs semi-insulating multiple quantum wells 期刊论文
Chinese Physics Letters, 1995, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 358
Authors:  Hu Chengyong;  Zhang Zhiguo;  Kang Jing;  Feng Wei;  Hu Qiang;  Huang Q(黄绮);  Zhou JM(周均铭)
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制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
Inventors:  冉军学;  胡强;  梁勇;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(573Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1738/450  |  Submit date：2012/08/29
MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  纪攀峰;  孔庆峰;  王文军;  胡强;  马平;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
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