| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 |
| 胡强; 段瑞飞 ; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤1：首先在衬底上生长一层ZnO膜；步骤2：在ZnO膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤3：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长GaN厚膜；步骤4：在氢化物气相外延系统中高温生长后，因氢化物气相外延系统中的HCl和NH3等腐蚀性气体，将ZnO膜2腐蚀，使GaN厚膜直接从衬底上脱离下来形成大尺寸的GaN自支撑衬底。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN200910235336.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910235336.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22327
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
胡强,段瑞飞,魏同波,等. 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法. CN200910235336.5.
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