| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 |
| 胡强; 段瑞飞 ; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法，包括以下步骤：步骤1：在C面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；步骤2：利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的C面蓝宝石衬底上光刻出沿着[11-20]方向的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形；步骤3：通过湿法刻蚀，将光刻的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形转移到衬底上；步骤4：腐蚀去掉二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到清洁的蓝宝石图形衬底；步骤5：直接采用氢化物气相外延系统在所得到的蓝宝石图形衬底上外延生长GaN厚膜，完成制备。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN200910235335.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910235335.0
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22329
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
胡强,段瑞飞,魏同波,等. 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法. CN200910235335.0.
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