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一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构
曹国华; 关敏; 李林森; 曾一平
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及有机光电器件技术领域,公开了一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构,该结构由下至上依次包括:透明衬底;沉积在该衬底上的阳极;沉积在该阳极上的缓冲层;沉积在该缓冲层上的有机电子给体层;沉积在该有机电子给体层上的有机电子受体层;以及沉积在该有机电子受体层上的阴极。其中,阳极采用ITO或FTO,缓冲层采用氧化物掺杂有机材料,氧化物为MoO3、ReO3等低温材料,有机电子给体层采用CuPc或ZnPc,有机电子受体层采用C60或PTCDA或PTCBI,阴极采用铝或者镁银合金。除了阳极和阴极外各层可采用真空蒸镀,喷涂,打印等各种沉积有机薄膜的方法制备。本发明可改善有机太阳能电池的稳定性。
部门归属半导体材料科学中心
专利号CN201010504161.6
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010504161.6
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22295
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
曹国华,关敏,李林森,等. 一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构. CN201010504161.6.
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