| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头; 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 |
| 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-08-29
; 2012-08-29
; 2012-08-29
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头,包括：一混气室,该混气室为一桶状,在混气室的上面或侧面连通有多个进气通道；一冷却匀气喷头,固接于混气室的下面。其中冷却匀气喷头包括：一上盖板、一下盖板和侧壁,该上盖板、一下盖板和侧壁构成密封的空间,该上盖板和下盖板之间贯通有多个进气通道,该进气通道的周围及上盖板和下盖板之间为冷却通道。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 申请日期 | 2011-12-29
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| 专利号 | CN102492937A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110451659.5
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23308
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
冉军学,胡强,梁勇,等. 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头, 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头. CN102492937A.
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