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| 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 闫果果; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 曾一平 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:480/1  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种原子层沉积设备 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 赵万顺; 张峰; 王雷; 曾一平 Adobe PDF(1224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:629/48  |  提交时间:2014/12/25 |
| N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 楚新波; 关敏; 曾一平; 王宝强; 朱战平 Adobe PDF(766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:760/97  |  提交时间:2014/12/25 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1269/136  |  提交时间:2014/11/24 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1477/130  |  提交时间:2014/11/24 |
| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:834/125  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 王家鑫; 吴奎; 曾一平 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:483/89  |  提交时间:2014/10/28 |
| GaN基LED网孔电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03 发明人: 王家鑫; 吴奎; 曾一平 Adobe PDF(204Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:506/93  |  提交时间:2014/10/28 |
| BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-11-14 发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 曾一平 Adobe PDF(522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:698/99  |  提交时间:2014/10/28 |
| 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(1172Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:459/46  |  提交时间:2014/12/25 |