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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
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作者:Zeng YP分Zeng YP
文献类型:会议论文
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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1531/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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浏览/下载:1442/301
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps
Edge dislocation of b=[001]/2 in the InAs nanostructure on InP(001)
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Wang YL
;
Wu J
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zeng YP
;
Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1219/180
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提交时间:2010/03/29
Layer-ordering Orientation
High performance resonant tunneling diode on a new material structure
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Wang JL
;
Liu ZL
;
Wang LC
;
Zeng YP
;
Yang FH
;
Bai YX
;
Wang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1235/245
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提交时间:2010/03/29
Resonant Tunneling Diode
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1729/427
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Optimization of InGaAs quantum dots for optoelectronic applications
会议论文
TWENTY SEVENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES, CONFERENCE DIGEST, SAN DIEGO, CA, SEP 22-26, 2002
作者:
Duan RF
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Zeng YP
;
Duan RF Chinese Acad Sci Novel Mat Dept Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Infrared Photodetectors
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
;
Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1193/174
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提交时间:2010/11/15
Inp(001)
Epitaxy
Gaas
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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浏览/下载:1725/419
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
High-quality GaN grown by gas-source MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1708/464
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Molecular-beam Epitaxy
Heterostructures
Sapphire
Diodes