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Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Authors:  Wang Xiaoliang;  Hu Guoxin;  Wang Junxi;  Liu Xinyu;  Liu Hongxin;  Sun Dianzhao;  Zeng Yiping;  Qian He;  Li Jinmin;  Kong Meiying;  Lin Lanying
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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
Authors:  黄大定;  刘超;  李建平;  高斐;  孙殿照;  朱世荣;  孔梅影
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
Authors:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平;  李晋闽;  孔梅影;  林兰英;  刘新宇;  刘键;  钱鹤
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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 142
Authors:  刘学锋;  李晋闽;  孔梅影;  黄大定;  李建平;  林兰英
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Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050
Authors:  Lin YX(林燕霞);  Huang DD(黄大定);  Zhang XL(张秀兰);  Liu JP(刘金平);  Li JP(李建平);  Gao F(高飞);  Sun DZ(孙殿照);  Ceng YP(曾一平);  Kong MY(孔梅影)
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衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 652
Authors:  于磊;  曾一平;  潘量;  孔梅影;  李晋闽;  李灵霄;  周宏伟
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MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 934
Authors:  曹昕;  曾一平;  孔梅影;  王保强;  潘量;  张？？;  朱战萍
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我国MBE GaAs基材料如何从实验室走向产业化 期刊论文
中国工程科学, 2000, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 28
Authors:  孔梅影;  曾一平
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赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 333
Authors:  王晓光;  常勇;  桂永胜;  褚君浩;  曹昕;  曾一平;  孔梅影
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