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衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 652
Authors:  于磊;  曾一平;  潘量;  孔梅影;  李晋闽;  李灵霄;  周宏伟
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低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559
Authors:  李建平;  黄大定;  刘金平;  刘学锋;  李灵宵;  朱世荣;  孙殿照;  孔梅影
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 287
Authors:  刘学锋;  王玉田;  刘金平;  李建平;  李灵霄;  孙殿照;  孔梅影;  林兰英
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GSMBE原位生长SiGeHBT材料 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1049
Authors:  黄大定;  刘金平;  李建平;  林燕霞;  刘学锋;  李灵霄;  孙殿照;  孔梅影;  林兰英
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GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 896
Authors:  刘学锋;  刘金平;  李建平;  李灵霄;  孙殿照;  孔梅影;  林兰英
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MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响 期刊论文
电子显微学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 381
Authors:  曾一平;  孔梅影;  王晓亮;  朱世荣;  李灵霄;  李晋闽
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In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 1
Authors:  王晓亮;  孙殿照;  孔梅影;  侯洵;  曾一平;  李建平;  李灵霄;  朱世荣
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气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 6
Authors:  袁瑞霞;  阎春辉;  国红熙;  李晓兵;  朱世荣;  曾一平;  李灵霄;  孔梅影
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InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究 期刊论文
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 725
Authors:  孙殿照;  王晓亮;  李晓兵;  国红熙;  阎春辉;  李建平;  朱世荣;  李灵霄;  曾一平;  孙梅影;  侯洵
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气态源分子束外延(AlGa)InP和GaInP/AlInP多量子阱材料 期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 312
Authors:  袁瑞霞;  阎春辉;  国红熙;  李晓兵;  朱世荣;  李灵肖;  曾一平;  孔梅影
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