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Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 135-138
Authors:  孙国胜;  王雷;  罗木昌;  赵万顺;  朱世荣;  李晋闽;  曾一平;  林兰英
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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
Authors:  黄大定;  刘超;  李建平;  高斐;  孙殿照;  朱世荣;  孔梅影
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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李晋闽;  孙国胜;  朱世荣;  曾一平;  孙殿照;  王雷
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Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长 期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 253
Authors:  孙国胜;  罗木昌;  王雷;  朱世荣;  李晋闽;  林兰英
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低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559
Authors:  李建平;  黄大定;  刘金平;  刘学锋;  李灵宵;  朱世荣;  孙殿照;  孔梅影
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高质量GaN材料的GSMBE生长 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 935
Authors:  王晓亮;  孙殿照;  孔梅影;  张剑平;  傅荣辉;  朱世荣;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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GaN材料的GSMBE生长 期刊论文
高技术通讯, 1997, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 1
Authors:  王晓亮;  孙殿照;  李晓兵;  黄运衡;  朱世荣;  曾一平;  李晋闽;  孔梅影;  林兰英
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MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响 期刊论文
电子显微学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 381
Authors:  曾一平;  孔梅影;  王晓亮;  朱世荣;  李灵霄;  李晋闽
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In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 1
Authors:  王晓亮;  孙殿照;  孔梅影;  侯洵;  曾一平;  李建平;  李灵霄;  朱世荣
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