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衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 652
Authors:  于磊;  曾一平;  潘量;  孔梅影;  李晋闽;  李灵霄;  周宏伟
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MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 934
Authors:  曹昕;  曾一平;  孔梅影;  王保强;  潘量;  张??;  朱战萍
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质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 957
Authors:  黄万霞;  林理彬;  曾一平;  潘量
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MBE生长的InAs薄膜Hall器件 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 873
Authors:  周宏伟;  曾一平;  李歧旺;  王红梅;  潘量;  孔梅影
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InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收 期刊论文
红外与毫米波学报, 1998, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 477
Authors:  庄乾东;  李晋闽;  曾一平;  潘量;  孔梅影;  林兰英
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MBE生长InAs薄膜输运性质的研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 646
Authors:  周宏伟;  董建荣;  王红梅;  曾一平;  朱占萍;  潘量;  孔梅影
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InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 413
Authors:  王红梅;  曾一平;  周宏伟;  董建荣;  潘栋;  潘量;  孔梅影
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