中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei M;  Wang XL;  Pan X;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Wang ZG;  Wei, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. mengw@semi.ac.cn
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1747/628  |  提交时间：2011/09/14
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  Pan X (Pan Xu);  Wei M (Wei Meng);  Yang CB (Yang Cuibai);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XL (Wang Xiaoliang)
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3150/831  |  提交时间：2011/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wei M;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Wang XL;  Pan, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100864, Peoples R China. xpan@semi.ac.cn
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1965/582  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei LM;  Gao KH;  Liu XZ;  Zhou WZ;  Cui LJ;  Zeng YP;  Yu G;  Yang R;  Lin T;  Shang LY;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Austing DG;  Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
Adobe PDF(1261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1269/214  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
Adobe PDF(873Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1273/381  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡强;  魏同波;  段瑞飞;  羊建坤;  霍自强;  卢铁城;  曾一平
Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1178/330  |  提交时间：2011/08/16
制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1503/267  |  提交时间：2011/08/31
在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1625/267  |  提交时间：2011/08/31
大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张雨溦;  张杨;  曾一平
Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1943/323  |  提交时间：2012/08/29