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硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  冯玉霞
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Si衬底  Aln  Gan  生长机制  应力  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, HJ;  Liu, CB;  Liu, GP;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Wang, JX;  Zhang, H;  Jin, DD;  Feng, YX;  Yang, SY;  Wang, LS;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(1080Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：464/78  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong, SS;  Wei, HY;  Yang, SY;  Li, HJ;  Feng, YX;  Chen, Z;  Liu, XL;  Wang, LS;  Wang, ZG
Adobe PDF(905Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：619/135  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, YX;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhang, H;  Kong, SS;  Zhao, GJ;  Liu, XL
Adobe PDF(1897Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：438/47  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, YX;  Liu, GP;  Yang, SY;  Wei, HY;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(369Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：584/109  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, YX;  Wei, HY;  Yang, SY;  Chen, Z;  Wang, LS;  Kong, SS;  Zhao, GJ;  Liu, XL
Adobe PDF(3657Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：440/30  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luan CB (Luan, Chongbiao);  Lin ZJ (Lin, Zhaojun);  Feng ZH (Feng, Zhihong);  Meng LG (Meng, Lingguo);  Lv YJ (Lv, Yuanjie);  Cao ZF (Cao, Zhifang);  Yu YX (Yu, Yingxia);  Wang ZG (Wang, Zhanguo)
Adobe PDF(908Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：910/221  |  提交时间：2013/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv YJ (Lv, Yuanjie);  Lin ZJ (Lin, Zhaojun);  Meng LG (Meng, Lingguo);  Luan CB (Luan, Chongbiao);  Cao ZF (Cao, Zhifang);  Yu YX (Yu, Yingxia);  Feng ZH (Feng, Zhihong);  Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:  冯玉霞;  杨少延;  魏鸿源;  焦春美;  孔苏苏
Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：630/69  |  提交时间：2014/11/24
利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  杨少延;  冯玉霞;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：683/90  |  提交时间：2014/11/05