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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1747/419  |  提交时间：2010/11/15
Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 10083,Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1204/300  |  提交时间：2010/08/12
气源分子束外延生长SiGe/Si材料的性质及HBT器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  林燕霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Sun DZ;  Kong MY;  Huang DD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(131Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：843/242  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Kong MY;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1136/308  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Kong MY;  Sun DZ;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：920/267  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin YX(林燕霞);  Huang DD(黄大定);  Zhang XL(张秀兰);  Liu JP(刘金平);  Li JP(李建平);  Gao F(高飞);  Sun DZ(孙殿照);  Ceng YP(曾一平);  Kong MY(孔梅影)
Adobe PDF(218Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1039/229  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Sun DZ;  Kong MY;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(81Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：905/260  |  提交时间：2010/08/12