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垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 206-209
Authors:  黄亚军;  刘志强;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜;  李晋闽
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阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 283-286
Authors:  潘岭峰;  李琪;  刘志强;  王晓峰;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜
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采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  伊晓燕;  王良臣;  王国宏;  李晋闽
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光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
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GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王立彬;  王良臣
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一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王立彬;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  郭德博;  王良臣
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低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  李艳
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P型氮化镓电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕
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GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  郭金霞
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界面热应力对InP/Si键合质量的影响 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 172-175
Authors:  刘志强;  王良臣;  于丽娟;  郭金霞;  伊晓燕;  王立彬;  陈宇;  马龙
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