SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
RTD与PHEMT集成的几个关键工艺
王建林; 刘忠立; 王良臣; 曾一平; 杨富华; 白云霞
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:2Pages:390-394
Abstract在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs=0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.
metadata_83中国科学院半导体研究所,微电子研发中心;中国科学院半导体研究所,光电子研发中心;中国科学院半导体研究所,新材料部;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家重点基础研究专项经费,中国科学院特别支持资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1922604
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17131
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王建林,刘忠立,王良臣,等. RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J]. 半导体学报,2005,26(2):390-394.
APA 王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,&白云霞.(2005).RTD与PHEMT集成的几个关键工艺.半导体学报,26(2),390-394.
MLA 王建林,et al."RTD与PHEMT集成的几个关键工艺".半导体学报 26.2(2005):390-394.
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