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一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  冉军学;  胡国新;  羊建坤;  梁勇;  路红喜;  李晋闽
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一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙国胜;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  杨挺;  吴海雷;  闫果果;  曾一平;  李晋闽
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一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  胡国新;  梁勇;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  杨翠柏;  李晋闽
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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  郑柳;  董林;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
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HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
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用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  冉军学;  胡强;  梁勇;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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