| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 |
| 孙国胜; 刘兴昉 ; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料，包括：N型碳化硅衬底；位于该N型碳化硅衬底上的N-变浓度缓冲层；位于该N-变浓度缓冲层上的本征层；以及位于该本征层上的P+帽层。本发明同时公开了一种碳化硅PIN微结构材料的制作方法。本发明能制备表面光亮、电阻率均匀的SiC外延材料，其本征外延层背景载流子浓度可低至1015数量级，适用于半导体大功率电子电力器件。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN200910237845.1
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910237845.1
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22321
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙国胜,刘兴昉,王雷,等. 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法. CN200910237845.1.
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