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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 黎大兵 ; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国
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| 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 刘祥林; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王俊; 马骁宇; 林涛; 郑凯; 冯小明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 魏宏远; 康亭亭; 王晓晖; 刘祥林; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王建林; 刘忠立; 王良臣; 曾一平; 杨富华; 白云霞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冯巍; 王幼林; 祝宁华
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