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采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  康亭亭;  刘祥林
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一种高质量InN薄膜的获取方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张日清;  康亭亭;  刘祥林
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一种高效率深紫外发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  康亭亭;  刘祥林
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一种近场光学增强型可见光探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  康亭亭;  刘祥林
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Determination of the valence band offset of wurtzite InN/ZnO heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 16, 页码: Art.No.162104
Authors:  Zhang RQ (Zhang Riqing);  Zhang PF (Zhang Panfeng);  Kang TT (Kang Tingting);  Fan HB (Fan Haibo);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@red.semi.ac.cn
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Inn  
氮化铟纳米结构的生长与低维结构中集体激发的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
Authors:  康亭亭
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用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1508-1512
Authors:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  康亭亭;  张日清;  刘祥林
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缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
Authors:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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