|
Selected(0)Clear
Items/Page: Sort: |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Chen Xiaofeng; Chen Nuofu; Wu Jinliang; Zhang Xiulan; Chai Chunlin; Yu Yude
 Adobe PDF(393Kb) |  Favorite | View/Download：1099/368 | Submit date：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Yin ZG (Yin Zhigang); Chen NF (Chen Nuofu); Dai RX (Dai Ruixuan); Liu L (Liu Lei); Zhang XW (Zhang Xingwang); Wang XH (Wang Xiaohui); Wu JL (Wu Jinliang); Chai CL (Chai Chunlin); Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
Adobe PDF(719Kb) | Favorite | View/Download：1068/280 | Submit date：2010/03/29 |
| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗 ; 杨霏; 柴春林
Adobe PDF(291Kb) | Favorite | View/Download：1063/202 | Submit date：2009/06/11 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1622Kb) | Favorite | View/Download：803/116 | Submit date：2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1501Kb) | Favorite | View/Download：868/152 | Submit date：2009/06/11 |
| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林
Adobe PDF(375Kb) | Favorite | View/Download：744/169 | Submit date：2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1262Kb) | Favorite | View/Download：798/147 | Submit date：2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1337Kb) | Favorite | View/Download：813/127 | Submit date：2009/06/11 |
| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(665Kb) | Favorite | View/Download：831/190 | Submit date：2009/06/11 |
| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生
Adobe PDF(728Kb) | Favorite | View/Download：713/148 | Submit date：2009/06/11 |
