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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [50]
Authors
韩培德 [15]
黎大兵 [3]
徐萍 [1]
Document Type
Journal a... [39]
Patent [11]
Date Issued
2006 [2]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [5]
2002 [5]
2001 [5]
More...
Language
中文 [46]
英语 [4]
Source Publication
半导体学报 [22]
高技术通讯 [5]
发光学报 [3]
光子学报 [2]
太阳能学报 [2]
中国科学. E辑，技... [1]
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国家自然科学基金 [7]
国家863计划,国家... [4]
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聚光太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈诺夫
;
白一鸣
;
王晓晖
;
梁平
;
陆大成
Adobe PDF(354Kb)
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View/Download：906/201
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Submit date：2009/06/11
集成太阳电池的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈诺夫
;
白一鸣
;
王晓晖
;
陆大成
Adobe PDF(245Kb)
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Favorite
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View/Download：741/187
|
Submit date：2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陆沅
;
刘祥林
;
陆大成
;
王晓晖
;
王占国
Adobe PDF(461Kb)
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View/Download：884/211
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Submit date：2009/06/11
一种制作白光发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈振
;
韩培德
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
朱勤生
;
王占国
Adobe PDF(528Kb)
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View/Download：893/194
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Submit date：2009/06/11
一种单/多层异质量子点结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈振
;
陆大成
;
韩培德
;
刘祥林
;
王晓晖
;
李昱峰
;
王占国
Adobe PDF(643Kb)
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View/Download：853/204
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Submit date：2009/06/11
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
Authors:
李昱峰
;
韩培德
;
陈振
;
黎大兵
;
王占国
;
刘祥林
;
陆大成
;
王晓军
;
汪度
Adobe PDF(342Kb)
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View/Download：912/310
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Submit date：2010/11/23
GaN的声表面波特性研究
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:
严莉
;
陈晓阳
;
何世堂
;
李红浪
;
韩培德
;
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
李昱峰
;
袁海荣
;
陆沅
;
黎大兵
;
朱勤生
;
王占国
Adobe PDF(178Kb)
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View/Download：863/319
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Submit date：2010/11/23
钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
Authors:
王晓晖
;
李昱峰
;
陆大成
;
刘祥林
;
袁海荣
;
陆沅
;
黎大兵
;
王秀凤
;
朱勤生
;
王占国
;
陈振
;
韩培德
Adobe PDF(128Kb)
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View/Download：778/233
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Submit date：2010/11/23
新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 13-16
Authors:
曲宝壮
;
朱勤生
;
陈振
;
陆大成
;
韩培德
;
刘祥林
Adobe PDF(441Kb)
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View/Download：1006/389
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Submit date：2010/11/23
Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
袁海荣
;
王占国
Adobe PDF(593Kb)
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View/Download：859/173
|
Submit date：2009/06/11
