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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  赵杰;  曾一平
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一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  冉军学;  胡国新;  羊建坤;  梁勇;  路红喜;  李晋闽
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锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李彦波;  张杨;  曾一平
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一种对半导体材料进行霍尔测试的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910244534.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李弋洋;  李成基;  曾一平
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一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙国胜;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  杨挺;  吴海雷;  闫果果;  曾一平;  李晋闽
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  杨翠柏;  李晋闽
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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