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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邵刚;  刘新宇;  和致经;  刘健;  魏珂;  陈晓娟;  吴德馨;  王晓亮;  陈宏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韦文生;  王天民;  张春熹;  李国华;  卢励吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张国强;  刘忠立;  李宁;  范楷;  郑中山;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈晓娟;  刘新宇;  和致经;  刘键;  邵刚;  魏珂;  吴德馨;  王晓亮;  周钧铭;  陈宏
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