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采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件 期刊论文
电子器件, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 479-481
Authors:  陈晓娟;  刘新宇;  和致经;  刘键;  邵刚;  魏珂;  吴德馨;  王晓亮;  周钧铭;  陈宏
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图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 353
Authors:  司俊杰;  杨沁清;  高俊华;  滕达;  王启明;  郭丽伟;  周均铭
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（113）面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光 期刊论文
物理学报, 1999, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1745
Authors:  司俊杰;  杨沁清;  滕达;  王红杰;  余金中;  王启明;  郭丽伟;  周均铭
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InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 43
Authors:  王健华;  金峰;  俞谦;  孙可;  李德杰;  蔡丽红;  黄绮;  周钧铭;  王玉田;  庄岩
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Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 10
Authors:  杨沁清;  钱毅;  董文甫;  王启明;  崔堑;  黄绮;  周均铭
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用推广的平面波展开展法检验平面内极化的电子子带跃迁 期刊论文
物理学报, 1997, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 393
Authors:  张满红;  朱邦芬;  黄绮;  王文新;  周均铭
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锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究 期刊论文
发光学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 311
Authors:  董文甫;  王启明;  杨沁清;  谢小刚;  周钧铭;  黄绮
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自组织生长InAs量子点发光的温度特性 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 10, 页码: 793
Authors:  吕振东;  杨小平;  袁之良;  徐仲英;  郑宝真;  许继宗;  陈弘;  黄绮;  周均铭;  王建农;  王玉琦;  葛惟昆
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InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究 期刊论文
物理学报, 1996, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 274
Authors:  俞谦;  王健华;  李德杰;  王玉田;  庄岩;  姜炜;  黄绮;  周钧铭
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SiGe/Si量子阱的低温光荧光和电注入发光 期刊论文
发光学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 128
Authors:  董文甫;  王启明;  杨沁清;  崔堑;  周钧铭;  黄绮
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