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具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 554-558
Authors:  魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨
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高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983
Authors:  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇;  和致经;  魏珂;  梁晓新;  王晓亮
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高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 88-91
Authors:  邵刚;  刘新宇;  和致经;  刘健;  魏珂;  陈晓娟;  吴德馨;  王晓亮;  陈宏
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采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件 期刊论文
电子器件, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 479-481
Authors:  陈晓娟;  刘新宇;  和致经;  刘键;  邵刚;  魏珂;  吴德馨;  王晓亮;  周钧铭;  陈宏
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全耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 104-108
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  刘洪民;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  和致经;  吴德馨
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CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 213-216
Authors:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
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部分耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 806
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  刘忠立;  和致经;  吴德馨
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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 1596
Authors:  刘新宇;  刘运龙;  孙海锋;  海潮和;  吴德馨;  和致经;  刘忠立
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一种新型的SOI灵敏放大器 期刊论文
电子学报, 2001, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 857
Authors:  刘新宇;  孙海峰;  海潮和;  和致经;  吴德馨
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硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 383
Authors:  高文钰;  刘忠立;  和致经;  于芳;  梁桂荣;  李国花
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