SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 10 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 056104-1-056104-6
Authors:  唐海马;  郑中山;  张恩霞;  于芳;  李宁;  王宁娟;  李国花;  马红芝
Adobe PDF(1182Kb)  |  Favorite  |  View/Download:868/259  |  Submit date:2012/07/17
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Authors:  Zheng Zhongshan;  Liu Zhongli;  Li Ning;  Li Guohua;  Zhang Enxia
Adobe PDF(283Kb)  |  Favorite  |  View/Download:899/235  |  Submit date:2011/08/16
SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Authors:  郑中山;  张恩霞;  刘忠立;  张正选;  李宁;  李国花
Adobe PDF(305Kb)  |  Favorite  |  View/Download:863/257  |  Submit date:2010/11/23
Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430
Authors:  WANG Ningjuan;  LI Ning;  LIU Zhongli;  ZHANG GuoQiang;  YU Fang;  Zheng Zhongshan;  LI Guohua
Adobe PDF(282Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1281/415  |  Submit date:2010/11/23
注氧隔离SOI材料及部分耗尽SOI MOSFETs的电离辐射加固 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  郑中山
Adobe PDF(2812Kb)  |  Favorite  |  View/Download:403/6  |  Submit date:2009/04/13
部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 349-353
Authors:  李宁;  张国强;  刘忠立;  范楷;  郑中山;  林青;  张正选;  林成鲁
Adobe PDF(291Kb)  |  Favorite  |  View/Download:780/213  |  Submit date:2010/11/23
注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 835-839
Authors:  张国强;  刘忠立;  李宁;  范楷;  郑中山;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
Adobe PDF(224Kb)  |  Favorite  |  View/Download:867/230  |  Submit date:2010/11/23
埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353
Authors:  郑中山;  刘忠立;  张国强;  李宁;  范楷;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
Adobe PDF(530Kb)  |  Favorite  |  View/Download:788/213  |  Submit date:2010/11/23
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Authors:  Zheng Zhongshan;  Liu Zhongli;  Zhang Guoqiang;  Li Ning;  Li Guohua;  Ma Hongzhi;  Zhang Enxia;  Zhang Zhengxuan;  Wang Xi
Adobe PDF(448Kb)  |  Favorite  |  View/Download:962/283  |  Submit date:2010/11/23
注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1269-1272
Authors:  张恩霞;  钱聪;  张正选;  王曦;  张国强;  李宁;  郑中山;  刘忠立
Adobe PDF(286Kb)  |  Favorite  |  View/Download:716/210  |  Submit date:2010/11/23