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高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 056104-1-056104-6
Authors:  唐海马;  郑中山;  张恩霞;  于芳;  李宁;  王宁娟;  李国花;  马红芝
Adobe PDF(1182Kb)  |  Favorite  |  View/Download：919/259  |  Submit date：2012/07/17
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Authors:  Zheng Zhongshan;  Liu Zhongli;  Li Ning;  Li Guohua;  Zhang Enxia
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SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Authors:  郑中山;  张恩霞;  刘忠立;  张正选;  李宁;  李国花
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注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 835-839
Authors:  张国强;  刘忠立;  李宁;  范楷;  郑中山;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
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埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353
Authors:  郑中山;  刘忠立;  张国强;  李宁;  范楷;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
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Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Authors:  Zheng Zhongshan;  Liu Zhongli;  Zhang Guoqiang;  Li Ning;  Li Guohua;  Ma Hongzhi;  Zhang Enxia;  Zhang Zhengxuan;  Wang Xi
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注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1269-1272
Authors:  张恩霞;  钱聪;  张正选;  王曦;  张国强;  李宁;  郑中山;  刘忠立
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具有复合埋层的新型SIMON材料的制备 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 814-818
Authors:  易万兵;  陈猛;  张恩霞;  刘相华;  陈静;  董业民;  金波;  刘忠立;  王曦
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