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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
半导体集成技术工程研... [2]
Authors
于芳 [1]
Document Type
Journal ar... [8]
Date Issued
2011 [1]
2010 [1]
2007 [1]
2005 [4]
2004 [1]
Language
中文 [6]
英语 [2]
Source Publication
半导体学报 [4]
物理学报 [3]
Journal of... [1]
Funding Project
Indexed By
CSCD [8]
Funding Organization
国家杰出青年基金,上... [1]
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高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 056104-1-056104-6
Authors:
唐海马
;
郑中山
;
张恩霞
;
于芳
;
李宁
;
王宁娟
;
李国花
;
马红芝
Adobe PDF(1182Kb)
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Submit date:2012/07/17
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Authors:
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Zhang Enxia
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Submit date:2011/08/16
SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Authors:
郑中山
;
张恩霞
;
刘忠立
;
张正选
;
李宁
;
李国花
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Submit date:2010/11/23
注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 835-839
Authors:
张国强
;
刘忠立
;
李宁
;
范楷
;
郑中山
;
张恩霞
;
易万兵
;
陈猛
;
王曦
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Submit date:2010/11/23
埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353
Authors:
郑中山
;
刘忠立
;
张国强
;
李宁
;
范楷
;
张恩霞
;
易万兵
;
陈猛
;
王曦
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Submit date:2010/11/23
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Authors:
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Zhang Guoqiang
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Ma Hongzhi
;
Zhang Enxia
;
Zhang Zhengxuan
;
Wang Xi
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Submit date:2010/11/23
注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1269-1272
Authors:
张恩霞
;
钱聪
;
张正选
;
王曦
;
张国强
;
李宁
;
郑中山
;
刘忠立
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Submit date:2010/11/23
具有复合埋层的新型SIMON材料的制备
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 814-818
Authors:
易万兵
;
陈猛
;
张恩霞
;
刘相华
;
陈静
;
董业民
;
金波
;
刘忠立
;
王曦
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Submit date:2010/11/23