SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件
陈晓娟; 刘新宇; 和致经; 刘键; 邵刚; 魏珂; 吴德馨; 王晓亮; 周钧铭; 陈宏
2005
Source Publication电子器件
Volume28Issue:3Pages:479-481
Abstract为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V.
metadata_83中国科学院微电子研究所;中国科学院半导体所;中国科学院物理研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2021299
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17059
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈晓娟,刘新宇,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005,28(3):479-481.
APA 陈晓娟.,刘新宇.,和致经.,刘键.,邵刚.,...&陈宏.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件.电子器件,28(3),479-481.
MLA 陈晓娟,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件".电子器件 28.3(2005):479-481.
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