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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Feng C;  Jiang LJ;  Yin HB;  Chen H;  Pan, X (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, xpan@semi.ac.cn
Adobe PDF(596Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：996/157  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Hailei;  Sun, Guosheng;  Yang, Ting;  Yan, Guoguo;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Liu, Xingfang;  Zeng, Yiping;  Wen, Jialiang;  Wu, H.(hlwu@semi.ac.cn)
Adobe PDF(887Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：962/194  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li H;  Zhou K;  Pang JB;  Shao YD;  Wang Z;  Zhao YW;  Li, H, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. wangz@whu.edu.cn
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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2428/471  |  提交时间：2010/10/11
Zinc Oxide  Doping  Defect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF (Hou Qi-Feng);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Xiao;  HL (Xiao Hong-Ling);  Wang CM (Wang Cui-Mei);  Yang CB (Yang Cui-Bai);  Li JM (Li Jin-Min);  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qfhou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Qingwen;  Wang Xiaoliang;  Xiao Hongling;  Ma Zeyu;  Zhang Xiaobin;  Hou Qifeng;  Li Jinmin;  Wang Zhanguo
Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1206/182  |  提交时间：2011/08/16