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| InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 戴扬
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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| 一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240933.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 谈笑天; 郑厚植
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 在硅上集成HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 张烁; 马平; 郭仕宽; 刘波亭; 李晋闽; 王军喜
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