SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 12 Help

  Show only claimed items
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  李士颜
Adobe PDF(15932Kb)  |  Favorite  |  View/Download:420/63  |  Submit date:2016/06/02
高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器  
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Li ShiYan;  Zhou XuLiang;  Kong XiangTing;  Li MengKe;  Mi JunPing;  Bian Jing;  Wang Wei;  Pan JiaoQing
Adobe PDF(1238Kb)  |  Favorite  |  View/Download:293/0  |  Submit date:2016/03/23
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
Inventors:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(785Kb)  |  Favorite  |  View/Download:429/72  |  Submit date:2014/12/25
一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(325Kb)  |  Favorite  |  View/Download:421/85  |  Submit date:2014/12/25
在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
Inventors:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(488Kb)  |  Favorite  |  View/Download:385/93  |  Submit date:2014/11/17
基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
Inventors:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(431Kb)  |  Favorite  |  View/Download:473/84  |  Submit date:2014/12/25
硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(532Kb)  |  Favorite  |  View/Download:425/62  |  Submit date:2014/11/17
硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(611Kb)  |  Favorite  |  View/Download:358/58  |  Submit date:2014/12/25
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
Inventors:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(491Kb)  |  Favorite  |  View/Download:529/83  |  Submit date:2014/11/24
一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(388Kb)  |  Favorite  |  View/Download:538/85  |  Submit date:2014/11/24