中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1125/161  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dai Yang;  Huang Yinglong;  Liu Wei;  Ma Long;  Yang Fuhua;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Zheng Houzhi
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：862/269  |  提交时间：2010/11/23
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1057/166  |  提交时间：2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1271/204  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  王良臣;  黄应龙;  杨富华
Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：864/356  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  杨富华;  王良臣;  余洪敏;  黄应龙
Adobe PDF(2512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/257  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma Long;  Huang Yinglong;  Zhang Yang;  Wang Liangchen;  Yang Fuhua;  Zeng Yiping
Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：996/336  |  提交时间：2010/11/23