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具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  彭恩超
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氮化镓  异质结  高电子迁移率晶体管  二维电子气  背势垒  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1114/370  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei;  Peng, EnChao;  Lin, DeFeng;  Feng, Chun;  Jiang, LiJuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1318/296  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi Y;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Peng EC;  Lin DF;  Feng C;  Jiang LJ;  Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
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具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：712/94  |  提交时间：2014/10/24
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：589/87  |  提交时间：2014/12/25