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硅基III-V族混合激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  李梦珂
Adobe PDF(5012Kb)  |  Favorite  |  View/Download:485/102  |  Submit date:2016/06/03
Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 028101
Authors:  Li ShiYan;  Zhou XuLiang;  Kong XiangTing;  Li MengKe;  Mi JunPing;  Bian Jing;  Wang Wei;  Pan JiaoQing
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A Chirped Subwavelength Grating With Both Reflection and Transmission Focusing 期刊论文
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2013, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 2200907
Authors:  Lv, Xiaomin;  Qiu, Weibin;  Wang, Jia-Xian;  Ma, Yuhui;  Zhao, Jing;  Li, Mengke;  Yu, Hongyan;  Pan, Jiaoqing
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
Inventors:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(785Kb)  |  Favorite  |  View/Download:404/72  |  Submit date:2014/12/25
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(435Kb)  |  Favorite  |  View/Download:435/71  |  Submit date:2014/12/25
在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
Inventors:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(1141Kb)  |  Favorite  |  View/Download:311/53  |  Submit date:2014/12/25
基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
Inventors:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(431Kb)  |  Favorite  |  View/Download:457/84  |  Submit date:2014/12/25
一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(599Kb)  |  Favorite  |  View/Download:432/71  |  Submit date:2014/11/05
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
Inventors:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(491Kb)  |  Favorite  |  View/Download:509/83  |  Submit date:2014/11/24