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| 硅基III-V族混合激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors: 李梦珂
 Adobe PDF(5012Kb) |  Favorite | View/Download：485/102 | Submit date：2016/06/03 |
| Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 028101
Authors: Li ShiYan; Zhou XuLiang; Kong XiangTing; Li MengKe; Mi JunPing; Bian Jing; Wang Wei; Pan JiaoQing
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| A Chirped Subwavelength Grating With Both Reflection and Transmission Focusing 期刊论文
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2013, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 2200907
Authors: Lv, Xiaomin; Qiu, Weibin; Wang, Jia-Xian; Ma, Yuhui; Zhao, Jing; Li, Mengke; Yu, Hongyan; Pan, Jiaoqing
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
Inventors: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
Inventors: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
Inventors: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
Inventors: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
Inventors: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
Inventors: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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