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应用于TDLAS的DBR激光器及新型激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  米俊萍
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Dbr激光器  长波长  Tdlas  隧穿二极管  多种类气体探测  
Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 028101
Authors:  Li ShiYan;  Zhou XuLiang;  Kong XiangTing;  Li MengKe;  Mi JunPing;  Bian Jing;  Wang Wei;  Pan JiaoQing
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
Inventors:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
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在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
Inventors:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
Inventors:  周旭亮;  于红艳;  米俊萍;  潘教青;  王圩
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基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
Inventors:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
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分布反馈式激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
Inventors:  王火雷;  米俊萍;  于红艳;  丁颖;  王宝军;  边静;  王圩;  潘教青
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ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
Inventors:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
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在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
Inventors:  李士颜;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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在硅上集成HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
Inventors:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(456Kb)  |  Favorite  |  View/Download:335/93  |  Submit date:2014/11/24