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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
韩培德 [2]
刘剑 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2001 [3]
2000 [1]
1998 [1]
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收录类别:CPCI\-S
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1993/347
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提交时间:2010/03/29
Molecular-beam Epitaxy
2-dimensional Electron-gas
Bulk Gan
Optimization
Layers
Hemts
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen Z
;
Chua SJ
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Han PD
;
Wang ZG
;
Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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浏览/下载:1611/329
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提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Semiconducting Iii-v Materials
Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures
Carrier Confinement
Effect Transistors
Photoluminescence
Mobility
Heterojunction
Interface
Hfets
High-quality GaN grown by gas-source MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1821/464
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Molecular-beam Epitaxy
Heterostructures
Sapphire
Diodes
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1378/394
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
High Electron Mobility Transistors
Density
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Cao X
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1656/426
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Mobility
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1589/179
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films
Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 43-4, LISBON, PORTUGAL, MAY 19-21, 1997
作者:
Liu J
;
Gornik E
;
Xu SJ
;
Zheng HZ
;
Liu J Vienna Tech Univ Inst Festkorperelekt Floragasse 7-1 A-1040 Vienna Austria. 电子邮箱地址: j.liu.20@bham.ac.uk
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提交时间:2010/11/15
Gaas/alas
Superlattices
Transport
Tunnelling
Landau Level
Negative Differential Conductivity
Low-field Mobility
Semiconductor Superlattice
Temperature-dependence
Conductance
Transport
Localization
Minibands