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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈彦超;  赵柏秦;  李伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin, P (Xin Ping);  Sun, CW (Sun Cheng-Wei);  Qin, FW (Qin Fu-Wen);  Wen, SP (Wen Sheng-Ping);  Zhang, QY (Zhang Qing-Yu);  Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: qyzhang@dlut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：7387/2875  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Hu WG (Hu Wei-Guo);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhau-Guo);  Liu, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XW (Wang Xin-Wei);  Li ZL (Li Zhi-Lei);  Sheng QQ (Sheng Qiu-Qin);  Wang, XW, Nankai Univ, Inst Phys, Tianjin 300071, Peoples R China. 电子邮箱地址: sinvaywang@yahoo.com.cn
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用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  彭文琴;  吴洁君;  魏宏源;  刘祥林;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐晓华;  牛智川;  倪海桥;  徐应强;  张纬;  贺正宏;  韩勤;  吴荣汉;  江德生
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Xu YQ;  Zhang W;  He ZH;  Han Q;  Wu RH;  Jiang DS;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  徐晓华;  徐应强;  张纬;  韩勤;  吴荣汉
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