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A comparison between AlN films grown by MOCVD using dimethylethylamine alane and trimethylaluminium as the aluminium precursors 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 516-518
Authors:  Hu, WG (Hu Wei-Guo);  Liu, XL (Liu Xiang-Lin);  Zhang, PF (Zhang Pan-Feng);  Zhao, FA (Zhao Feng-Ai);  Jiao, CM (Jiao Chun-Mei);  Wei, HY (Wei Hong-Yuan);  Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing);  Wu, JJ (Wu Jie-Jun);  Cong, GW (Cong Guang-Wei);  Pan, Y (Pan Yi);  Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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Chemical-vapor-deposition  
Investigation of oxygen vacancy and interstitial oxygen defects in ZnO films by photoluminescence and x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 2108-2111
Authors:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
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Thin-films  
退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响 期刊论文
物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1846-1850
Authors:  柴春林;  滕蛟;  于广华;  朱逢吾;  赖武彦;  肖纪美
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
Inventors:  冯玉霞;  杨少延;  魏鸿源;  焦春美;  孔苏苏
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利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
Inventors:  杨少延;  冯玉霞;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
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利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
Inventors:  杨少延;  张恒;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
Inventors:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
Inventors:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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