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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红 ; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 佟存柱; 牛智川; 韩勤; 杜云; 吴荣汉
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| 1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488
Authors: Niu Zhichuan; Ni Haiqiao; Fang Zhidan; Gong Zheng; Zhang Shiyong; Wu Donghai; Sun Zheng; Zhao Huan; Peng Hongling; Han Qin; Wu Ronghan
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| 1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器 期刊论文
光子学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 549-551
Authors: 韩勤; 彭红玲; 杜云; 倪海桥; 赵欢; 牛智川; 吴荣汉
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| 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 牛智川; 徐晓华; 倪海桥; 徐应强; 韩勤; 吴荣汉
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| GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器 期刊论文
光电子·激光, 2005, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 159-163
Authors: 周震; 杨晓红; 韩勤; 杜云; 彭红玲; 吴荣汉; 黄永清; 任晓敏
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| A GaAs-Based MOEMS Tunable RCE Photodetector with Single Cantilever Beam 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1087-1093
Authors: Zhou Zhen; Han Qin; Du Yun; Yang Xiaohong; Wu Ronghan; Huang Yongqing; Ren Xiaomin
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| Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864
Authors: Niu Zhichuan; Han Qin; Ni Haiqiao; Yang Xiaohong; Xu Yingqiang; Du Yun; Zhang Shiyong; Peng Hongling; Zhao Huan; Wu Donghai; Li Shuying; He Zhenhong; Ren Zhengwei; Wu Ronghan
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| 1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 8, 页码: 3651-3656
Authors: 佟存柱; 牛智川; 韩勤; 吴荣汉
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